VBM1603
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):210A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):375W 类型:N沟道
VBM1603的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)210A
栅源极阈值电压3.5V @ 250uA
漏源导通电阻3.5mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)375W
类型N沟道
VBM1603
VBM1603的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 立创商城 | VBM1603 | VBsemi(台湾微碧) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):210A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):375W 类型:N沟道 | 1+:¥8.26 10+:¥6.09 30+:¥5.69 100+:¥5.29 500+:¥5.11 1000+:¥5.02
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 立创商城 | VBM16036N | VBsemi(台湾微碧) | 预售晶体管 | 1+:¥5.04 200+:¥1.96 500+:¥1.89 1000+:¥1.85
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