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VBM15R13 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:- 最大功率耗散(Ta=25°C):250W 类型:N沟道
VBM15R13的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)500V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)13A

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻-

最大功率耗散(Ta=25°C)250W

类型N沟道

供应商VBM15R13
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VBM15R13VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:- 最大功率耗散(Ta=25°C):250W 类型:N沟道1+:¥3.99
10+:¥2.94
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500+:¥2.47
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