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VBM15R13 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W 类型：N沟道

VBM15R13的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）500V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）13A

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻-

最大功率耗散（Ta=25°C）250W

类型N沟道

VBM15R13

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深圳市芯幂科技有限公司	VBM15R13	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市仓实科技有限公司	VBM15R13	深圳市福田区福田街道	17080955875	李先生	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	VBM15R13	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市惊羽科技有限公司	VBM15R13	深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室	实-单-专-线----135-7521-2775 135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回	彭小姐	询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司	VBM15R13	深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C	实-单-专-线V+18938047708 18938047708/18938048779	林炜东，林俊源	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	VBM15R13	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价

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VBM15R13	N-Channel 500 V (D-S) Power MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]		686.7 Kbytes	共9页		无

VBM15R13的全球分销商及价格

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