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VBM165R10 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道

VBM165R10的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）650V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）10A

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻-

最大功率耗散（Ta=25°C）-

类型N沟道

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VBM165R10及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
VBM165R10	N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]	851.53 Kbytes	共10页	无
VBM165R10	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]	933.23 Kbytes	共11页	无
VBM165R10	N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]	854.42 Kbytes	共10页	无

VBM165R10的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	VBM165R10	VBsemi(台湾微碧)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道	1+:￥4.95 10+:￥3.65 30+:￥3.41 100+:￥3.17 500+:￥3.07 1000+:￥3.02

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