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VBM1302 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：140A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：2.1mΩ @ 140A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W 类型：N沟道

VBM1302的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）30V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）140A

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻2.1mΩ @ 140A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）250W

类型N沟道

VBM1302

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深圳市芯幂科技有限公司	VBM1302	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市仓实科技有限公司	VBM1302	深圳市福田区福田街道	17080955875	李先生	询价
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深圳市宇浩扬科技有限公司	VBM1302	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市惊羽科技有限公司	VBM1302	深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室	实-单-专-线----135-7521-2775 135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回	彭小姐	询价
深圳市万政电子有限公司	VBM1302	深圳市宝安西乡兴业路互联网创意园C栋206	18948794636 18948794636	欧阳先生	询价

VBM1302及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
VBM1302	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]		617.03 Kbytes	共7页		无

VBM1302的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	VBM1302	VBsemi(台湾微碧)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：140A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：2.1mΩ @ 140A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W 类型：N沟道	1+:￥5.2 10+:￥3.83 30+:￥3.58 100+:￥2.4975 500+:￥2.415 1000+:￥2.37
立创商城	VBM1302A	VBsemi(台湾微碧)	预售晶体管	1+:￥2.5845 200+:￥1.0002 500+:￥0.9651 1000+:￥0.9477
立创商城	VBM1302S	VBsemi(台湾微碧)	预售晶体管	1+:￥2.469 200+:￥0.9555 500+:￥0.9219 1000+:￥0.9053

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