VBM1104N的供应商，VBM1104N规格参数，VBM1104N的PDF资料

VBM1104N /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：45A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：32mΩ @ 45A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：127W 类型：N沟道

VBM1104N的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）100V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）45A

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻32mΩ @ 45A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）127W

类型N沟道

VBM1104N

VBM1104N的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市芯幂科技有限公司	VBM1104N	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	VBM1104N	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
万三科技（深圳）有限公司	VBM1104N	深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园609	0755-21006672 18188642307	王小康	询价
深圳市微碧半导体有限公司	VBM1104N	深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋东5层502	0755-83204141 18118747668	许小姐	询价
深圳市惊羽科技有限公司	VBM1104N	深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室	实-单-专-线----135-7521-2775 135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回	彭小姐	询价
盛信伟业（深圳）科技有限公司	VBM1104N	深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1002号赛格广场3310A	19926488141 19926488141	赵伟滨	询价

VBM1104N及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
VBM1104N	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]		555.9 Kbytes	共7页		无

VBM1104N的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	VBM1104N	VBsemi(台湾微碧)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：45A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：32mΩ @ 45A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：127W 类型：N沟道	1+:￥3.42 10+:￥2.52 30+:￥2.36 100+:￥2.2 500+:￥2.12 1000+:￥2.09
立创商城	VBM1104NB	VBsemi(台湾微碧)	预售晶体管	1+:￥2.1522 200+:￥0.8329 500+:￥0.8037 1000+:￥0.7892

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