VBM1102N的供应商，VBM1102N规格参数，VBM1102N的PDF资料

VBM1102N /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 70A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：355W 类型：N沟道

VBM1102N的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）100V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）70A

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻18mΩ @ 70A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）355W

类型N沟道

VBM1102N

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集好芯城	VBM1102N	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市芯幂科技有限公司	VBM1102N	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	VBM1102N	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	VBM1102N	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市微碧半导体有限公司	VBM1102N	深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋东5层502	0755-83204141 18118747668	许小姐	询价
深圳市惊羽科技有限公司	VBM1102N	深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室	实-单-专-线----135-7521-2775 135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回	彭小姐	询价

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VBM1102N	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]		517.65 Kbytes	共7页		无

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