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VBE1206 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：65A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 20A,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：71W 类型：N沟道

VBE1206的规格信息

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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）20V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）65A

栅源极阈值电压1.5V @ 250uA

漏源导通电阻8mΩ @ 20A,2.5V

最大功率耗散（Ta=25°C）71W

类型N沟道

VBE1206

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供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市芯幂科技有限公司	VBE1206	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市仓实科技有限公司	VBE1206	深圳市福田区福田街道	17080955875	李先生	询价
集好芯城	VBE1206	深圳市福田区航都大厦25F	0755-82564006 18188616613	郑小姐	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	VBE1206	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	VBE1206N	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市惊羽科技有限公司	VBE1206	深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室	实-单-专-线----135-7521-2775 135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回	彭小姐	询价

VBE1206及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
VBE1206	N-Channel 20-V (D-S)175 C MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]		479.86 Kbytes	共6页		无
VBE1206N	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]		589.66 Kbytes	共7页		无

VBE1206的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	VBE1206	VBsemi(台湾微碧)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：65A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 20A,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：71W 类型：N沟道	1+:￥2.37 10+:￥1.75 30+:￥1.63 100+:￥1.368 500+:￥1.323 1000+:￥1.296
立创商城	VBE1206N	VBsemi(台湾微碧)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：96W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥7.44 10+:￥5.48 30+:￥5.12 100+:￥4.76 500+:￥4.6 1000+:￥4.52

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