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TPH4R50ANH /Toshiba N沟道 MOSFET TPH4R50ANH, 93 A, Vds=100 V, 8引脚 SOP封装
TPH4R50ANH的规格信息
TPH4R50ANH的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

通道类型:N

最大连续漏极电流:93 A

最大漏源电压:100 V

最大漏源电阻值:4.5m0hms

最大栅阈值电压:4V

最小栅阈值电压:2V

最大栅源电压:±20 V

封装类型:SOP

安装类型:表面贴装

引脚数目:8

晶体管配置:

通道模式:增强

类别:功率 MOSFET

最大功率耗散:78 W

典型接通延迟时间:25 ns

典型关断延迟时间:52 ns

典型输入电容值@Vds:4000 pF @ 50 V

典型栅极电荷@Vgs:58 nC @ 10 V

每片芯片元件数目:1

宽度:5mm

高度:0.95mm

正向二极管电压:1.2V

尺寸:5 x 5 x 0.95mm

最高工作温度:+150 °C

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商TPH4R50ANH
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深圳市琛凡科技有限公司TPH4R50ANH,L1Q(M深圳市福田区华强电子世界一店2号楼四层24C15613922854643,13302437441马小姐Email:1045082228@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司TPH4R50ANH深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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