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TPH3300CNH,L1Q /MOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS10VVDS150V
TPH3300CNH,L1Q的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOP Advance-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:150 V

Id-连续漏极电流:29 A

Rds On-漏源导通电阻:33 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:10.6 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:57 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.95 mm

长度:5 mm

系列:TPH3300CNH

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5 mm

商标:Toshiba

下降时间:5.1 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:5.8 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:17 ns

典型接通延迟时间:16 ns

单位重量:851 mg

供应商TPH3300CNH,L1Q
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