FET 类型：N 沟道

技术：GaNFET（氮化镓）

漏源电压（Vdss）：650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：20A（Tc）

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：14nC @ 8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：760pF @ 400V

工作温度：-55°C ~ 150°C

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220

封装/外壳：TO-220-3

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs