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TPH3R506PL,LQ /MOSFET N-CH 60V 94A 8SOP
TPH3R506PL,LQ的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

SeriesU-MOSIX-H

PackageTape & Reel (TR)

FET TypeN-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)60 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C94A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5mOhm @ 47A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs55 nC @ 10 V

Vgs (Max)±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4420 pF @ 30 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)830mW (Ta), 116W (Tc)

Operating Temperature175°C

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device Package8-SOP Advance (5x5)

Package / Case8-PowerVDFN

供应商TPH3R506PL,LQ
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型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
TPH3R506PL,LQ(S连续漏极电流(Id)(25°C 时):94A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 500uA 漏源导通电阻:3.5mΩ @ 47A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):116W(Tc) 类型:N沟道TOSHIBA(东芝)TOSHIBA(东芝)的LOGO464.20 Kbytes共9页TPH3R506PL,LQ(S的PDF下载地址
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