FET 类型：N 沟道

技术：GaNFET（氮化镓）

漏源电压（Vdss）：650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：16A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.6V @ 500µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：9.3nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±18V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：760pF @ 480V

功率耗散（最大值）：81W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：180 毫欧 @ 11A，8V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PQFN（8x8）

封装/外壳：3-PowerDFN

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs