TPH3R70APL,L1Q(M
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):90A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 1mA 漏源导通电阻:3.7mΩ @ 45A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):960mW 类型:N沟道
TPH3R70APL,L1Q(M的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)90A(Tc)
栅源极阈值电压2.5V @ 1mA
漏源导通电阻3.7mΩ @ 45A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)960mW
类型N沟道
TPH3R70APL,L1Q(M
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TPH3R70APL,L1Q(M的全球分销商及价格
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 立创商城 | TPH3R70APL,L1Q(M | TOSHIBA(东芝) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):90A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 1mA 漏源导通电阻:3.7mΩ @ 45A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):960mW 类型:N沟道 | 1+:¥8.96 10+:¥6.72 30+:¥6.3 100+:¥5.89 500+:¥5.71 1000+:¥5.62
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