制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Id-连续漏极电流:64 A

Rds On-漏源导通电阻:18 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:48 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:230 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:37 S

下降时间:38 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:35 ns

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:28 ns

典型接通延迟时间:15 ns

单位重量:1.800 g