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SUP53P06-20-GE3 /SUP53P06 Series 60 V 0.0195 Ohm Flange Mount P-Channel MOSFET - TO-220AB
SUP53P06-20-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

系列:TrenchFET®

FET类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):9.2A(Ta),53A(Tc)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):115nC @ 10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):3500pF @ 25V

Vgs(最大值):±20V

功率耗散(最大值):3.1W(Ta),104.2W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):19.5 毫欧 @ 30A,10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3

封装形式Package:TO-220AB

极性Polarity:P-CH

漏源极击穿电压VDSS:60V

连续漏极电流ID:9.2A

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

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