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SUP85N03-04P-E3 /
SUP85N03-04P-E3的规格信息
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FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):85A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):90nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):4500pF @ 25V

功率耗散(最大值):3.75W(Ta),166W(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):4.3 毫欧 @ 30A,10V

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220AB

封装/外壳:TO-220-3

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商SUP85N03-04P-E3
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深圳市辉华拓展电子有限公司SUP85N03-04P-E3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392
陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城SUP85N03-04P-E3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市天卓伟业电子有限公司SUP85N03-04P-E3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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深圳市坤融电子有限公司SUP85N03-04P-E3航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SUP85N03-04P-E3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SUP85N03-04P-E3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市赛美科科技有限公司SUP85N03-04P-E3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市星宇佳科技有限公司SUP85N03-04P-E3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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深圳市星宇佳科技有限公司SUP85N03-04P-E3深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SUP85N03-04P-E3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
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SUP85N03-04P-E3MOSFET N-CH 30V 85A TO220ABVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO70.59 Kbytes共6页SUP85N03-04P-E3的PDF下载地址
SUP85N03-04P-E3MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 30V,RDS(ON) 0.0035Ohm,ID 85A,TO-220AB,PD 166W,VGS +/-20VSiliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO70.59 Kbytes共6页SUP85N03-04P-E3的PDF下载地址
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SUP85N03-04P-E3Siliconix / VishayMOSFET, Power,N-Ch,VDSS 30V,RDS(ON) 0.0035Ohm,ID 85A,TO-220AB,PD 166W,VGS +/-20V+500:$3.65
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Arrow(艾睿)
SUP85N03-04P-E3Vishay半导体 MOSFET 30V 85A 166W FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品1+:¥15.41
10+:¥15.41
100+:¥15.24
250+:¥15.24
500+:¥15.24
1000+:¥15.24
2000+:¥14.55
5000+:¥14.55
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Digi-Key 得捷电子
SUP85N03-04P-E3Vishay半导体 MOSFET 30V 85A 166W FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品1+:¥15.41
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Tti
SUP85N03-04P-E3Vishay Intertechnologies1+:¥15.41
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10000