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SUP57N20-33-E3 /MOSFET 200V 57A 300W
SUP57N20-33-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Id-连续漏极电流:57 A

Rds On-漏源导通电阻:27 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:130 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:300 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Tube

系列:SUP

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:25 S

下降时间:200 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:220 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:45 ns

典型接通延迟时间:24 ns

单位重量:6 g

供应商SUP57N20-33-E3
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深圳市辉华拓展电子有限公司SUP57N20-33-E3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SUP57N20-33-E3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
集好芯城SUP57N20-33-E3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SUP57N20-33-E3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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深圳市坤融电子有限公司SUP57N20-33-E3航都大厦10I0755-23990975
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芯莱德电子(香港)有限公司SUP57N20-33-E3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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深圳市高捷芯城科技有限公司SUP57N20-33-E3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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深圳市宇浩扬科技有限公司SUP57N20-33-E3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳和润天下电子科技有限公司SUP57N20-33-E3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SUP57N20-33-E3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市科思奇电子科技有限公司SUP57N20-33-E3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
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深圳市星宇佳科技有限公司SUP57N20-33-E3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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上海三崧电子有限公司SUP57N20-33-E3上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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SUP57N20-33-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 200V 57A 300W1+:¥34.19
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
SUP57N20-33-E3Vishay / SiliconixMOSFET 200V 57A 300W1:¥36.1148
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Verical
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