FET 类型:P 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):190nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):7000pF @ 50V
功率耗散(最大值):375W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220AB
封装/外壳:TO-220-3
Id-连续漏极电流:120A
Pd-功率耗散:375W
Qg-栅极电荷:125nC
Rds On-漏源导通电阻:11.4mOhms
Vds-漏源极击穿电压:100V
Vgs - 栅极-源极电压:20V
Vgs th-栅源极阈值电压:2.5V
上升时间:40ns
下降时间:40ns
典型关闭延迟时间:110ns
典型接通延迟时间:20ns
安装风格:ThroughHole
封装/外壳:TO-220-3
晶体管极性:P-Channel
晶体管类型:1P-Channel
最大工作温度:+175C
最小工作温度:-55C
正向跨导 - 最小值:60S
系列:SUP
通道数量:1Channel
通道模式:Enhancement
配置:Single
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs