FET 类型：P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：190nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：7000pF @ 50V
功率耗散（最大值）：375W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-220AB
封装/外壳：TO-220-3
Id-连续漏极电流：120A
Pd-功率耗散：375W
Qg-栅极电荷：125nC
Rds On-漏源导通电阻：11.4mOhms
Vds-漏源极击穿电压：100V
Vgs - 栅极-源极电压：20V
Vgs th-栅源极阈值电压：2.5V
上升时间：40ns
下降时间：40ns
典型关闭延迟时间：110ns
典型接通延迟时间：20ns
安装风格：ThroughHole
封装/外壳：TO-220-3
晶体管极性：P-Channel
晶体管类型：1P-Channel
最大工作温度：+175C
最小工作温度：-55C
正向跨导 - 最小值：60S
系列：SUP
通道数量：1Channel
通道模式：Enhancement
配置：Single
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs