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SUP70101EL-GE3 /
SUP70101EL-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):190nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):7000pF @ 50V

功率耗散(最大值):375W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220AB

封装/外壳:TO-220-3

Id-连续漏极电流:120A

Pd-功率耗散:375W

Qg-栅极电荷:125nC

Rds On-漏源导通电阻:11.4mOhms

Vds-漏源极击穿电压:100V

Vgs - 栅极-源极电压:20V

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5V

上升时间:40ns

下降时间:40ns

典型关闭延迟时间:110ns

典型接通延迟时间:20ns

安装风格:ThroughHole

封装/外壳:TO-220-3

晶体管极性:P-Channel

晶体管类型:1P-Channel

最大工作温度:+175C

最小工作温度:-55C

正向跨导 - 最小值:60S

系列:SUP

通道数量:1Channel

通道模式:Enhancement

配置:Single

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商SUP70101EL-GE3
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SUP70101EL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -100V Vds 20V Vgs TO-220AB1:¥22.9729
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