FET类型：P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：75A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：240nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：9000pF @ 25V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：3.75W（Ta），187W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：7 毫欧 @ 30A，10V
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220AB
封装形式Package：TO-220-3
极性Polarity：P-CH
漏源极击穿电压VDSS：30V
连续漏极电流ID：75A
漏源极导通电阻RDS(ON)：7mOhms
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs