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SUP75P05-08-E3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SUP75P05-08-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:500

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:剪切带(CT)

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):55V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8 毫欧 @ 30A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):225nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):8500pF @ 25V

功率 - 最大值:3.7W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3

供应商器件封装:TO-220AB

其它名称:SUP75P05-08-E3CTSUP75P05-08-E3CT-NDSUP75P0508E3

供应商SUP75P05-08-E3
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SUP75P05-08-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 55V 75A 250W1+:¥39.34
10+:¥39.34
100+:¥38.1
250+:¥38.1
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