系列:SUP
商标名:TrenchFET
FET类型:P 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30V
电流-连续漏极(Id)(25°C时):45A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):90nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):2700pF @ 15V
Vgs(最大值):±20V
功率耗散(最大值):73.5W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):8.7 毫欧 @ 20A,10V
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs