制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

商标:Vishay Semiconductors

Id-连续漏极电流:17.5 A

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Rds On-漏源导通电阻:12 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Qg-栅极电荷:28 nC

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:46.8 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-2

封装:Reel

配置:Single

下降时间:12 ns

正向跨导 - 最小值:15 S

最小工作温度:- 55 C

上升时间:15 ns

系列:Power MOSFET

工厂包装数量:2000

商标名:TrenchFET

典型关闭延迟时间:20 ns

典型接通延迟时间:9 ns