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SUD06N10-225L-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SUD06N10-225L-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:2,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.5A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):200 毫欧 @ 3A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):240pF @ 25V

功率 - 最大值:1.25W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

供应商器件封装:TO-252AA

其它名称:SUD06N10-225L-GE3-NDSUD06N10-225L-GE3TR

供应商SUD06N10-225L-GE3
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陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城SUD06N10-225L-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SUD06N10-225L-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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SUD06N10-225L-GE3N-Channel 100 V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO161.15 Kbytes共7页SUD06N10-225L-GE3的PDF下载地址
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SUD06N10-225L-GE3Vishay半导体 MOSFET 100V 0.20ohm@10V 6.5A N-CH FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品2000+:¥4.89
6000+:¥4.65
10000+:¥4.47
50000+:¥4.191+:¥9.6901
10+:¥7.77
100+:¥5.97
500+:¥5.28
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10000+:¥4.62
24000+:¥4.51991+:¥11.77
10+:¥10.42
25+:¥9.4125+:¥7.73
100+:¥7.08
250+:¥6.31
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SUD06N10-225L-GE3Vishay半导体 MOSFET 100V 0.20ohm@10V 6.5A N-CH FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品2000+:¥4.89
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