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STW4N150 /MOSFET N-channel 1500 V PowerMesh
STW4N150的规格信息
STW4N150的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:1.5 kV

Id-连续漏极电流:4 A

Rds On-漏源导通电阻:7 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:30 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:160 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:PowerMESH

封装:Tube

高度:20.15 mm

长度:15.75 mm

系列:STW4N150

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:STMicroelectronics

下降时间:45 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:30 ns

工厂包装数量:600

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:45 ns

典型接通延迟时间:35 ns

单位重量:38 g

供应商STW4N150
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深圳市骏凯诚科技有限公司STW4N150深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
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朱小姐Email:szjkc618@163.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STW4N150深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司STW4N150深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市坤融电子有限公司STW4N150航都大厦10I0755-23990975
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深圳市河锋鑫科技有限公司STW4N150华强北都会轩26010755-23903154
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司STW4N150广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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苏先生,李小姐Email:1356901849@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司STW4N150深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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深圳市佳威星科技有限公司STW4N150深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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Arrow(艾睿)
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ChipOneStop
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Digi-Key 得捷电子
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Element_sh
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element14 e络盟电子
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Future(富昌)
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
STW4N150STMicroelectronicsMOSFET N-channel 1500 V PowerMesh1:¥50.8726
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STW4N150ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):1500V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:7Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):160W(Tc) 类型:N沟道1+:¥16.24
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