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STW47NM60ND /MOSFET N-Ch 600V 0.075 Ohm 35A FDmesh II
STW47NM60ND的规格信息
STW47NM60ND的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:35 A

Rds On-漏源导通电阻:88 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:145 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:255 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Tube

系列:STW47NM60ND

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:17 S

下降时间:50 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:40 ns

工厂包装数量:600

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:120 ns

典型接通延迟时间:30 ns

单位重量:38 g

供应商STW47NM60ND
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18129819897		蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STW47NM60ND深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司STW47NM60ND航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
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元器件资料网-Verical的LOGO
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