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STW48NM60N /MOSFET N-Ch 600V 0.055 Ohm 39A Mdmesh II
STW48NM60N的规格信息
STW48NM60N的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:39 A

Rds On-漏源导通电阻:70 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:255 W

配置:Single

商标名:MDmesh

封装:Tube

系列:STW48NM60N

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:600

子类别:MOSFETs

单位重量:38 g

供应商STW48NM60N
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深圳市骏凯诚科技有限公司STW48NM60N深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
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STW48NM60NSTMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 600V 0.055 Ohm 39A Mdmesh II1+:¥93.54
10+:¥85.09
25+:¥78.62
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100+:¥72.37
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500+:¥61.6799
1000+:¥56.591+:¥74.54
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Digi-Key 得捷电子
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element14 e络盟电子
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Mouser 贸泽电子
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50+:¥63.03
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1000+:¥57.87
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Mouser 贸泽电子
STW48NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600V 0.055 Ohm 39A Mdmesh II1:¥98.8185
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50:¥77.7666
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立创商城
STW48NM60NST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):44A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:70mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):330W 类型:N沟道1+:¥23.68
10+:¥20.72
30+:¥20.17
100+:¥15.704
500+:¥15.512
1000+:¥15.272