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STW43NM60ND /MOSFET N-channel 600V, 35A FDMesh II
STW43NM60ND的规格信息
STW43NM60ND的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:35 A

Rds On-漏源导通电阻:88 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:255 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:FDmesh

封装:Tube

高度:20.15 mm

长度:15.75 mm

系列:STW43NM60ND

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:STMicroelectronics

下降时间:50 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:40 ns

工厂包装数量:600

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:120 ns

典型接通延迟时间:30 ns

单位重量:38 g

供应商STW43NM60ND
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深圳市威雅利发展有限公司STW43NM60ND华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120
韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STW43NM60ND深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司STW43NM60ND深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市佳威星科技有限公司STW43NM60ND深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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深圳诚思涵科技有限公司STW43NM60ND深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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STW43NM60NDMOSFET N-channel 600V, 35A FDMesh IISTMicroelectronicsSTMicroelectronics的LOGO544.53 Kbytes共13页STW43NM60ND的PDF下载地址
STW43NM60ND连续漏极电流(Id)(25°C 时):35A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:88mΩ @ 17.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):255W(Tc) 类型:N沟道ST(意法半导体)ST(意法半导体)的LOGO559.44 Kbytes共13页STW43NM60ND的PDF下载地址
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Arrow(艾睿)
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ChipOneStop
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Digi-Key 得捷电子
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
STW43NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 35A FDMesh II1:¥84.75
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Verical
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立创商城
STW43NM60NDST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):35A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:88mΩ @ 17.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):255W(Tc) 类型:N沟道1+:¥20.4
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