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STW43NM60N /STMicroelectronics/分立半导体产品
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其它有关文件:STW43NM60N View All Specifications

标准包装:30

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:MDmesh? II

包装:管件

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):35A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):88 毫欧 @ 17.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):130nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4200pF @ 50V

功率 - 最大值:255W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-247-3

供应商器件封装:TO-247-3

其它名称:497-8460-5

供应商STW43NM60N
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深圳市辉华拓展电子有限公司STW43NM60N深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
18129819897
蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STW43NM60N深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司STW43NM60N航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市河锋鑫科技有限公司STW43NM60N华强北都会轩26010755-23903154
13430590551
杨晓芳Email:305739080@qq.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司STW43NM60N深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司STW43NM60N深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳瀚顺芯电子科技有限公司STW43NM60N深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室18927111567Email:1585681270@qq.com询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司STW43NM60N广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
13923432237
谢先生Email:3003989381@qq.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司STW43NM60ND深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
13332931905
小柯Email:2851989182@qq.com询价
深圳市振钰科技有限公司STW43NM60ND深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3013号上步工业区23栋上航大厦410-I0755-85270799
13926543930
廖先生Email:2885411644@qq.com询价
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司STW43NM60N深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
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深圳市斌腾达科技有限公司STW43NM60N深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
集好芯城STW43NM60N深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市辉华拓展电子有限公司STW43NM60N深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市佳威星科技有限公司STW43NM60N深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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深圳市芯泽盛世科技有限公司STW43NM60N龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市高捷芯城科技有限公司STW43NM60ND深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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深圳诚思涵科技有限公司STW43NM60N深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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深圳市全秀电子有限公司STW43NM60N东久创新科技园6栋12楼整层13129599479
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STW43NM60NMOSFET N-CH 600V 35A TO-247STMicroelectronicsSTMicroelectronics的LOGO491.83 Kbytes共12页STW43NM60N的PDF下载地址
STW43NM60NDMOSFET N-channel 600V, 35A FDMesh IISTMicroelectronicsSTMicroelectronics的LOGO544.53 Kbytes共13页STW43NM60ND的PDF下载地址
STW43NM60ND连续漏极电流(Id)(25°C 时):35A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:88mΩ @ 17.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):255W(Tc) 类型:N沟道ST(意法半导体)ST(意法半导体)的LOGO559.44 Kbytes共13页STW43NM60ND的PDF下载地址
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Arrow(艾睿)
STW43NM60NSTMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-channel 600V Power MDmesh1+:¥82.19
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Arrow(艾睿)
STW43NM60NDSTMicroelectronicsFET - 单 FDmesh?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-channel 600V, 35A FDMesh II1+:¥83.94
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ChipOneStop
STW43NM60NSTMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-channel 600V Power MDmesh1+:¥82.19
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ChipOneStop
STW43NM60NDSTMicroelectronicsFET - 单 FDmesh?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-channel 600V, 35A FDMesh II1+:¥83.94
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Digi-Key 得捷电子
STW43NM60NSTMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-channel 600V Power MDmesh1+:¥82.19
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Digi-Key 得捷电子
STW43NM60NDSTMicroelectronicsFET - 单 FDmesh?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-channel 600V, 35A FDMesh II1+:¥83.94
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element14 e络盟电子
STW43NM60NSTMicroelectronicsFET - 单 FDmesh?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-channel 600V, 35A FDMesh II1+:¥82.19
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element14 e络盟电子
STW43NM60NDSTMicroelectronicsFET - 单 FDmesh?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-channel 600V, 35A FDMesh II1+:¥83.94
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Future(富昌)
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Future(富昌)
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
STW43NM60NDSTMicroelectronicsFET - 单 FDmesh?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-channel 600V, 35A FDMesh II1+:¥83.94
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RS(欧时)
STW43NM60NSTMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-channel 600V Power MDmesh1+:¥82.19
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RS(欧时)
STW43NM60NDSTMicroelectronicsFET - 单 FDmesh?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-channel 600V, 35A FDMesh II1+:¥83.94
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Verical
STW43NM60NSTMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-channel 600V Power MDmesh1+:¥82.19
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Verical
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10+:¥76.37
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500+:¥56.57
1000+:¥51.94
2500+:¥52.181+:¥79.93
10+:¥72.7199
25+:¥67.181+:¥63.62
10+:¥62.6799
50+:¥54.33
100+:¥51.31
200+:¥48.29
500+:¥46.631+:¥79.49
5+:¥75.41
25+:¥64.5
50+:¥59.660110+:¥85.2
30+:¥78.64
60+:¥73.62
120+:¥72.461+:¥73.8899
31+:¥52.781+:¥49.74
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STW43NM60NDST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):35A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:88mΩ @ 17.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):255W(Tc) 类型:N沟道1+:¥20.4
10+:¥19.805