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STW48N60M2 /MOSFET N-channel 600 V, 0.06 Ohm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
STW48N60M2的规格信息
STW48N60M2的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:42 A

Rds On-漏源导通电阻:70 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:70 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:300 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

封装:Tube

系列:STW48N60M2

商标:STMicroelectronics

下降时间:119 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:17 ns

工厂包装数量:600

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:13 ns

典型接通延迟时间:18.5 ns

单位重量:38 g

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STW48N60M2连续漏极电流(Id)(25°C 时):42A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:70mΩ @ 21A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300W(Tc) 类型:N沟道ST(意法半导体)ST(意法半导体)的LOGO711.83 Kbytes共12页STW48N60M2的PDF下载地址
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STW48N60M2的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子
STW48N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 42A TO247$7.03000
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Digi-Key 得捷电子
STW48N60M2-4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 42A TO247-4L$7.07000
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Mouser 贸泽电子
STW48N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.06 Ohm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package1:¥64.0032
10:¥57.856
25:¥55.1666
100:¥47.8668
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Mouser 贸泽电子
STW48N60M2-4STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.06 Ohm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO247-4 package1:¥70.9188
10:¥64.1614
25:¥61.1669
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立创商城
STW48N60M2ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):42A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:70mΩ @ 21A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300W(Tc) 类型:N沟道1+:¥61.5
10+:¥59.71
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STW48N60M2-4ST(意法半导体)MOS(场效应管)1+:¥27.83
10+:¥24.54
30+:¥24.02
100+:¥23.25