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STW48N60DM2 /MOSFET N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long leads package
STW48N60DM2的规格信息
STW48N60DM2的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:40 A

Rds On-漏源导通电阻:65 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:70 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:300 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

系列:STW48N60DM2

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:-

下降时间:9.8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:27 ns

工厂包装数量:600

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:131 ns

典型接通延迟时间:27 ns

单位重量:38 g

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STW48N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long leads package1:¥59.4719
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25:¥51.2568
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STW48N60DM2ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):40A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:79mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300W(Tc) 类型:N沟道1+:¥58.44
10+:¥56.74