STW28N65M2
/MOSFET N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
STW28N65M2的规格信息
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-247-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:650 V
Id-连续漏极电流:20 A
Rds On-漏源导通电阻:180 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Qg-栅极电荷:35 nC
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:170 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:MDmesh
封装:Tube
系列:STW28N65M2
晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET
商标:STMicroelectronics
下降时间:8.8 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:10 ns
工厂包装数量:600
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:59 ns
典型接通延迟时间:13.4 ns
单位重量:38 g
STW28N65M2
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