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STW24NM60N /MOSFET N-Ch 600V 0.18 Ohm 17A MDmesh II
STW24NM60N的规格信息
STW24NM60N的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:17 A

Rds On-漏源导通电阻:190 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:46 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:125 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

封装:Tube

系列:STW24NM60N

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:37 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:16.5 ns

工厂包装数量:600

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:73 ns

典型接通延迟时间:11.5 ns

单位重量:38 g

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STW24NM60NSTMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 600V 0.18 Ohm 17A MDmesh II1+:¥46.84
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Mouser 贸泽电子
STW24NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600V 0.18 Ohm 17A MDmesh II1:¥46.7933
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STW24NM60NST(意法半导体)MOS(场效应管)1+:¥12.57
10+:¥9.2
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100+:¥7.97
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1000+:¥7.56