系列：MDmesh™ II Plus

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

DraintoSourceVoltage(Vdss)：600V

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：24A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：37nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1370pF @ 100V

Vgs（最大值）：±25V

功率耗散（最大值）：170W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：150 毫欧 @ 12A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-247-3

封装形式Package：TO-247

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：650V

连续漏极电流ID：22A

RoHS：符合 RoHS

最高工作温度：+ 150 C

190 W：Pd - 功率消耗

安装风格：Through Hole

品牌：STMicroelectronics

最低工作温度：- 55 C

标准包装数量：30

晶体管极性：N-Channel

Vds - 漏-源击穿电压：600 V

Vgs - 闸极-源极击穿电压：25 V

Id - C连续漏极电流：24 A

Rds On - 漏-源电阻：120 m0hms

配置：Single

Vgs th - 门源门限电压：3 V

37 nC：Qg - 闸极充电

无铅情况/RoHs：否