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STW27NM60ND /STMicroelectronics/分立半导体产品
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产品培训模块:Automotive Grade Transistors and Discretes

标准包装:30

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:FDmesh?? II

包装:管件

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):21A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):160 毫欧 @ 10.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):-

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):-

功率 - 最大值:160W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-247-3

供应商器件封装:TO-247-3

其它名称:497-10086-5

供应商STW27NM60ND
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STW27NM60NDSTMicroelectronicsFET - 单 FDmesh?? II 分立半导体产品600+:¥40.84600+:¥39.01
1200+:¥35.82
2400+:¥35.39
5400+:¥34.37
10200+:¥35.3430+:¥22.26
180+:¥21.351+:¥36.73
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