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STW26NM60ND /STMicroelectronics/分立半导体产品
STW26NM60ND的规格信息
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标准包装:30

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:FDmesh?? II

包装:管件

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):21A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):175 毫欧 @ 10.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):54.6nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1817pF @ 100V

功率 - 最大值:190W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-247-3

供应商器件封装:TO-247

其它名称:497-14225-5STW26NM60ND-ND

供应商STW26NM60ND
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蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STW26NM60ND深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司STW26NM60ND航都大厦10I0755-23990975
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STW26NM60NDSTMicroelectronicsFET - 单 FDmesh?? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 600V 0.145Ohm typ. 21A FDmesh II1+:¥47.2801
10+:¥42.6201
25+:¥38.7701
100+:¥34.99
250+:¥32.15
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1000+:¥25.53
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10+:¥33.96
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5000+:¥24.671+:¥53.4701
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STW26NM60NDSTMicroelectronicsFET - 单 FDmesh?? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 600V 0.145Ohm typ. 21A FDmesh II1+:¥47.2801
10+:¥42.6201
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1000+:¥25.53
2500+:¥24.5799
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STW26NM60NDSTMicroelectronicsFET - 单 FDmesh?? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 600V 0.145Ohm typ. 21A FDmesh II1+:¥47.2801
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Mouser 贸泽电子
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Verical
STW26NM60NDSTMicroelectronicsFET - 单 FDmesh?? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 600V 0.145Ohm typ. 21A FDmesh II1+:¥47.2801
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