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STP9N65M2 /MOSFET N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
STP9N65M2的规格信息
STP9N65M2的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:5 A

Rds On-漏源导通电阻:900 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:10 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:60 W

配置:Single

商标名:MDmesh

封装:Tube

产品:Power MOSFET

系列:STP9N65M2

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:18 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:6.6 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:22.5 ns

典型接通延迟时间:7.5 ns

单位重量:330 mg

供应商STP9N65M2
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深圳市坤融电子有限公司STP9N65M2航都大厦10I0755-23990975
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13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
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集好芯城STP9N65M2深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司STP9N65M2深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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Digi-Key 得捷电子		STP9N65M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 5A TO220$1.67000
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