图像仅供参考,请参阅规格书
系列:MDmesh™ K5
FET类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
DraintoSourceVoltage(Vdss):900V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值):5V @ 100µA
Vgs(最大值):±30V
FET功能:电流感测
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
无铅情况/RoHs:否