STP8N120K5
/MOSFET N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
STP8N120K5的规格信息
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV
Id-连续漏极电流:6 A
Rds On-漏源导通电阻:2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压:3 V
Vgs - 栅极-源极电压:30 V
Qg-栅极电荷:13.7 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:130 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Tube
系列:STP8N120K5
商标:STMicroelectronics
下降时间:27 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:11 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:40 ns
典型接通延迟时间:15.5 ns
STP8N120K5