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STP8N120K5 /MOSFET N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
STP8N120K5的规格信息
STP8N120K5的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV

Id-连续漏极电流:6 A

Rds On-漏源导通电阻:2 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:13.7 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:130 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

系列:STP8N120K5

商标:STMicroelectronics

下降时间:27 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:11 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:40 ns

典型接通延迟时间:15.5 ns

供应商STP8N120K5
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STP8N120K5连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 漏源电压(Vdss):1200V 栅源极阈值电压:5V @ 100uA 漏源导通电阻:2Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):130W(Tc) 类型:N沟道ST(意法半导体)ST(意法半导体)的LOGO274.11 Kbytes共13页STP8N120K5的PDF下载地址
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STP8N120K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package1:¥45.7198
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100:¥33.6514
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STP8N120K5ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 漏源电压(Vdss):1200V 栅源极阈值电压:5V @ 100uA 漏源导通电阻:2Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):130W(Tc) 类型:N沟道1+:¥51.43
10+:¥50.07
30+:¥49.17
100+:¥48.26