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STP80NF70 /MOSFET N-Ch 68V 0.0082 Ohm 98 A STripFET II
STP80NF70的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:68 V

Id-连续漏极电流:98 A

Rds On-漏源导通电阻:9.8 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:75 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:190 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:STripFET

封装:Tube

系列:STP80NF70

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:75 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:60 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:90 ns

典型接通延迟时间:17 ns

单位重量:330 mg

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STP80NF70STMicroelectronicsFET - 单 STripFET?? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 68V 0.0082 Ohm 98 A STripFET II1+:¥15.35
10+:¥12.36
100+:¥9.89
500+:¥8.66
1000+:¥7.17
2500+:¥6.68
5000+:¥6.43
10000+:¥6.18011+:¥12.26
10+:¥9.8601
100+:¥7.88
500+:¥7.88
1000+:¥7.32
2500+:¥6.72
5000+:¥6.66
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STP80NF70STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 68V 0.0082 Ohm 98 A STripFET II1:¥15.368
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.1417
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Mouser 贸泽电子
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10+:¥9.8601
100+:¥7.88
500+:¥7.88
1000+:¥7.32
2500+:¥6.72
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STP80NF70ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):98A(Tc) 漏源电压(Vdss):68V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:9.8mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):190W(Tc) 类型:N沟道1+:¥3.85
10+:¥2.9
30+:¥2.73
100+:¥2.55
500+:¥2.48
1000+:¥2.44