系列：MDmesh™ II Plus

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：5.5A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：10nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：320pF @ 100V

Vgs（最大值）：±25V

功率耗散（最大值）：60W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：780 毫欧 @ 3A，10V

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

封装形式Package：TO-220

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：600V

连续漏极电流ID：5.5A

RoHS：符合 RoHS

最高工作温度：+ 150 C

60 W：Pd - 功率消耗

安装风格：Through Hole

品牌：STMicroelectronics

下降时间：13.5 ns

最低工作温度：- 55 C

上升时间：7.5 ns

晶体管极性：N-Channel

标准包装数量：50

标准断开延迟时间：22 ns

Vds - 漏-源击穿电压：650 V

Vgs - 闸极-源极击穿电压：25 V

Id - C连续漏极电流：5.5 A

Rds On - 漏-源电阻：780 m0hms

配置：Single

Vgs th - 门源门限电压：3 V

10 nC：Qg - 闸极充电

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs