系列：DeepGATE™，STripFET™ VI

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：84A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：74.9nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：4295pF @ 25V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：136W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：6.8 毫欧 @ 38.5A，10V

工作温度：175°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

封装形式Package：TO-220

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：60V

连续漏极电流ID：84A

Ciss-输入电容：4295 pF

Id-连续漏极电流：84 A

典型关闭延迟时间：73 ns

安装风格：Through Hole

晶体管极性：N-Channel

最大工作温度：+ 175 C

最小工作温度：- 55 C

Pd-功率耗散：136 W

通道模式：Enhancement

配置：Single

Qg-栅极电荷：74.9 nC

Rds On-漏源导通电阻：6.8 m0hms

Vds-漏源极击穿电压：60 V

Vgs th-栅源极阈值电压：4 V

Vgs-栅源极击穿电压：± 20 V

上升时间：42 ns

下降时间：16 ns

无铅情况/RoHs：否