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STP8NM60ND /STMicroelectronics/分立半导体产品
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其它有关文件:STP8NM60ND View All Specifications

标准包装:50

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:FDmesh?? II

包装:管件

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):700 毫欧 @ 3.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):22nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):560pF @ 50V

功率 - 最大值:70W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3

供应商器件封装:TO-220-3

其它名称:497-8793-5

供应商STP8NM60ND
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