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STL51N3LLH5 /N-Channel 30 V 14.5 mOhm STripFET™ V Power Mosfet - PowerFLAT
STL51N3LLH5的规格信息
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系列:STripFET™ V

FET类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):51A(Tc)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):5nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):724pF @ 25V

Vgs(最大值):±22V

功率耗散(最大值):62.5W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):14.5 毫欧 @ 6.3A,10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线

封装形式Package:Power

极性Polarity:N-CH

漏源极击穿电压VDSS:30V

连续漏极电流ID:51A

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商STL51N3LLH5
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现代芯城(深圳)科技有限公司STL51N3LLH5www.nowchip.com0755-27381274
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盛信伟业(深圳)科技有限公司STL51N3LLH5深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1002号赛格广场3310A19926488141
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深圳市佳威星科技有限公司STL51N3LLH5深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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STL51N3LLH5N-channel 30 V, 0.0105, 51 A, PowerFLAT 5x6 STripFET V Power MOSFET STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO823.77 Kbytes共13页STL51N3LLH5的PDF下载地址
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STL51N3LLH5STMicroelectronicsPOWER MOSFET - Tape and Reel3,000 : $0.3164
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STL51N3LLH5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 51A POWERFLAT5615,000 : $0.2717
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