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STL4N10F7 /MOSFET N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package
STL4N10F7的规格信息
STL4N10F7的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerFLAT-3.3x3.3-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:4.5 A

Rds On-漏源导通电阻:70 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:7.8 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.9 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:STripFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STL4N10F7

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:3 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:11 ns

典型接通延迟时间:6.3 ns

供应商STL4N10F7
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现代芯城(深圳)科技有限公司STL4N10F7www.nowchip.com0755-27381274
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深圳市芯幂科技有限公司STL4N10F7深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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13352985419,19076157484
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