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STL3NM60N /MOSFET N-Ch 600V 1.5Ohm 2.2A MDMesh II MOS
STL3NM60N的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:2.2 A

Rds On-漏源导通电阻:1.8 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:9.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STL3NM60N

晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET

商标:STMicroelectronics

下降时间:20 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:6.2 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:20.8 ns

典型接通延迟时间:8.6 ns

供应商STL3NM60N
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现代芯城(深圳)科技有限公司STL3NM60Nwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457
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深圳市辉华拓展电子有限公司STL3NM60N深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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13352985419,19076157484
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深圳市斌腾达科技有限公司STL3NM60N深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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Mouser 贸泽电子
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