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STL50DN6F7 /MOSFET Dual N-channel 60 V, 9 mOhm typ., 57 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 double island package
STL50DN6F7的规格信息
STL50DN6F7的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerFLAT-5x6-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:57 A

Rds On-漏源导通电阻:11 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:17 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:62.5 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:STripFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STL50DN6F7

晶体管类型:2 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:15.3 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:19.4 ns

典型接通延迟时间:14.5 ns

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STL50DN6F7STMicroelectronicsMOSFET Dual N-channel 60 V, 9 mOhm typ., 57 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 double island package1:¥6.4523
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