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STL3N10F7 /MOSFET N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 package
STL3N10F7的规格信息
STL3N10F7的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerFLAT-2x2-6

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:4 A

Rds On-漏源导通电阻:70 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:7.8 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.4 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:STripFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STL3N10F7

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:3 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:11 ns

典型接通延迟时间:6.3 ns

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现代芯城(深圳)科技有限公司STL3N10F7www.nowchip.com0755-27381274
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STL3N10F7STMicroelectronics3000+:¥5.6701
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STL3N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 package1:¥12.9837
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500+:¥6.6701
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