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STL4P2UH7 /STMicroelectronics/分立半导体产品
STL4P2UH7的规格信息
STL4P2UH7的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

产品培训模块:Low Voltage Power MOSFETs

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:DeepGATE?,STripFET? VII

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):100 毫欧 @ 2A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.8nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):510pF @ 10V

功率 - 最大值:2.4W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:6-PowerWDFN

供应商器件封装:PowerFlat?(2x2)

其它名称:497-14996-2

供应商STL4P2UH7
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