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STL42P4LLF6 /MOSFET P-channel 40 V, 0.0155 Ohm typ., 42 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
STL42P4LLF6的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerFLAT-5x6-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:42 A

Rds On-漏源导通电阻:10.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:22 nC

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:75 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:STripFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STL42P4LLF6

晶体管类型:1 P-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:19 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:47 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:148 ns

典型接通延迟时间:43 ns

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现代芯城(深圳)科技有限公司STL42P4LLF6www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
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深圳市芯幂科技有限公司STL42P4LLF6深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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STL42P4LLF6连续漏极电流(Id)(25°C 时):42A(Tc) 漏源电压(Vdss):-40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):75W(Tc) 类型:P沟道ST(意法半导体)ST(意法半导体)的LOGO439.14 Kbytes共14页STL42P4LLF6的PDF下载地址
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STL42P4LLF6STMicroelectronicsMOSFET P-channel 40 V, 0.0155 Ohm typ., 42 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package1:¥10.0683
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STL42P4LLF6ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):42A(Tc) 漏源电压(Vdss):-40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):75W(Tc) 类型:P沟道1+:¥8.48
10+:¥8.25
30+:¥5.77
100+:¥5.67