STGYA120M65DF2AG
/IGBT 晶体管 Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in a Max247 long leads package
STGYA120M65DF2AG的规格信息
制造商:STMicroelectronics
产品种类:IGBT 晶体管
RoHS:是
技术:Si
封装 / 箱体:MAX-247-3
安装风格:Through Hole
配置:Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V
集电极—射极饱和电压:1.65 V
栅极/发射极最大电压:20 V
在25 C的连续集电极电流:160 A
Pd-功率耗散:625 W
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
系列:STGYA120M65DF2AG
资格:AEC-Q101
商标:STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流:250 uA
产品类型:IGBT Transistors
工厂包装数量:600
子类别:IGBTs
STGYA120M65DF2AG
STGYA120M65DF2AG的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Mouser 贸泽电子 | STGYA120M65DF2AG | STMicroelectronics | IGBT 晶体管 Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in a Max247 long leads package | 1:¥80.682 10:¥74.2297 25:¥71.1561 100:¥62.6246
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 立创商城 | STGYA120M65DF2AG | ST(意法半导体) | 预售芯片 | 1+:¥84.63 200+:¥32.76 500+:¥31.6 1000+:¥31.04
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